SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3 是 Vishay 的双 N 沟道 MOSFET 阵列，漏源电压 40V，每通道连续漏极电流 30A，导通电阻 8mΩ@10V，采用 PowerPAK-SO-8L 封装，适用于电机驱动和电源转换。