SISS78LDN-T1-GE3

SISS78LDN-T1-GE3 是 Vishay 的 N 沟道 MOSFET，采用 TrenchFET 技术，漏源电压 70V，连续漏极电流 66.7A，导通电阻 4.8mΩ，PowerPAK-1212-8S 封装，适用于高效电源转换。