SI2304DDS-T1-GE3

SI2304DDS-T1-GE3 是 Vishay 的 N 沟道 MOSFET，漏源电压 30V，连续漏极电流 3.6A，导通电阻 60mΩ@10V，采用 SOT-23 封装，适用于 DC/DC 转换和负载开关。