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HSMT8
SIGNAL / COMPONENT / 0712
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MOSFET产品型号. RQ3E100BNTB1

RQ3E100BNTB1 - 30V 21A N沟道功率MOSFET

VDSS=30V, ID=21A, RDS(on)=0.0077Ω @10V, Qg=10.5nC, PD=15W

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产品说明

产品说明

RQ3E100BN是一款用于开关的高功率封装(HSMT8)MOSFET。具有低导通电阻、高功率封装、无铅引线框镀层符合RoHS标准、无卤素等特点。适用于开关和电机驱动应用。

品质信息

型号与批次可追溯

供应支持

样品与小批量灵活配套

工程确认

关键参数协同核实

RQ3E100BNTB1 - 30V 21A N沟道功率MOSFET | 博创佳业