Infineon IPG20N10S4L22AATMA1 OptiMOS™ 双 N 沟道 MOSFET

IPG20N10S4L22AATMA1 是英飞凌 OptiMOS™ T2 系列双 N 沟道功率 MOSFET，采用 TDSON-8 封装，具有 100V 漏源电压和 20A 连续漏极电流。该器件通过 AEC-Q101 认证，适用于汽车应用。