2ED2183S06FXUMA1 650V 半桥栅极驱动器

2ED2183S06FXUMA1 是半桥高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。采用独特的 Infineon 薄膜 SOI 技术，具有出色的坚固性和噪声免疫力，在 VS 引脚上可承受高达 -11V 的负瞬态电压。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，低至 3.3V。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET、SiC MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 650V。集成超快低阻自举二极管和直通保护。